miranda world

Юрий Зозуля- Тонкая настройка компьютера с помощью стр.38


Юрий Зозуля- Тонкая настройка компьютера с помощью стр.38

RAS# to CAS# delay (tRCD, DRAM RAS-to-CAS Delay)

Параметр изменяет время задержки между сигналом выборки строки (RAS#) и сигналом выборки столбца (CAS#).

Диапазон регулировки зависит от модели платы и может составлять от 1 до 15 тактов. Чем меньше значение, тем быстрее доступ к ячейке, однако, как и в случае с CAS# Latency, слишком низкие значения при ведут к нестабильной работе памяти.

RAS# Precharge (tRP, DRAM RAS# Precharge, SDRAM RAS# Precharge, Row Precharge Time)

Параметр задает минимально допустимое время, чтобы подзарядить строку после ее закрытия.

Возможные значения - от 1 до 15. При меньших значениях память работает быстрее, но слишком низкие могут привести к ее нестабильности.

Active to Precharge Delay (tRAS, DRAM RAS# Activate to Precharge, Min RAS# Active Time)

Параметр устанавливает минимальное время между командой активизации строки и командой закрытия, то есть время, в течение которого строка может быть открыта.

Диапазон регулировки зависит от модели платы и может составлять от 1 до 63 тактов. Нет однозначной зависимости между значением этого параметра и производительностью памяти, поэтому для максимального эффекта следует подбирать tRAS экспериментально.

DRAM Command Rate (1Т/2Т Memory Timing)

Параметр устанавливает задержку при передаче команд от контроллера к памяти. Возможные значения:

□ 2Т (2Т Command) - величина задержки равна двум тактам, что соответствует меньшей скорости, но большей надежности работы памяти;

□ IT (IT Command) - задержка в один такт увеличивает скорость оперативной памяти, однако не всякая система может при этом нормально работать.

В некоторых версиях BIOS встречается параметр 2Т Command, при включении которого устанавливается задержка в два такта, а при отключении - в один такт.

Extreme Memory Profile (Х.М.Р.)

Параметр позволяет включить поддержку расширенных профилей памяти. Данная технология разработана компанией Intel и предполагает запись в чип SPD дополнительных наборов параметров для работы на повышенной частоте или с минимальными задержками. Для использования этой технологии она должна поддерживаться вашим модулем памяти.

Возможные значения:

□ Disabled - память работает в штатном режиме;

□ Profile!, Profile2 - выбор одного из профилей памяти с повышенной производительностью. Чтобы узнать параметры этих профилей, следует обратиться к подробной спецификации вашего модуля.

Дополнительные параметры памяти

Как уже отмечалось, в некоторых системных платах имеются дополнительные параметры памяти. Они оказывают меньшее влияние на производительность, чем рассмотренные выше основные тайминги, поэтому их в большинстве случаев следует оставить по умолчанию. Если же у вас есть время и желание экспериментировать, с их помощью можно немного повысить скорость работы памяти. Чаще всего встречаются следующие параметры:

□ tRRD (RAS to RAS delay) - задержка между активизацией строк разных банков;

□ tRC (Row Cycle Time) - длительность цикла строки памяти;

□ tWR (Write Recovery Time) - задержка между завершением операции записи и началом предзаряда;


⇐ Предыдущая страница| |Следующая страница ⇒

Материалы выложены в ознакомительных целях. Полная или частичная перепечатка разрешена при наличии гиперссылки на www.MirandaIM.info

 

Наш сайт открыт для взаимовыгодных отношений!
Пишите нам